Transistörlerde yeni teknoloji: 2D FET'ler
Lawrence Berkeley Ulusal Laboratuvarı, yarı iletken elemanların daha hızlı çalışması için yeni bir teknoloji olan 2 boyutlu (2D) alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor) üzerinde çalışıyor. Silikondan yapılan normal FET’lerden farklı olarak iki boyutlu FET’ler yüksek gerilimlerde performans düşmesi yaşamıyor ve yüksek bir elektron hareketliliği sağlıyor. 2 boyutlu yapı; metal dikalkogenit, altıgen bor nitrit ve grafen katmanlarının van der Waals bağları ile etkileşime geçmesi ile oluşuyor.
Projeyi yürüten ekibin lideri olan Berkeley elektrik mühendisliği profesörü Ali Javey, çalışmanın elektronik komponentlerde yeni bir çığır açacağını söylüyor. “Kovalent bağlar yerine van der Waals etkileşimini kullanmamız, malzeme mühendisliğinde ve yeni komponentlerin geliştirilmesinde benzersiz imkanlar sunuyor.”
Alan etkili transistörler (FET) günümüz elektronik endüstrisinde en çok kullanılan komponentlerden biri. bilgisayarlardan cep telefonlarına ve tabletlere kadar bir çok hassas elektronik cihazda kullanılıyor.
“Geliştirdiğimiz iki boyutlu FET’lerin her bir katmanı, van der waals bağları ile bağlanan materyallerden oluşuyor. Bu sayede benzersiz bir malzeme yapısı oluşturduk.” diyen Javey, van der Waals bağlarının klasik heterojonksiyon materyal katmanlarının kısıtlayıcı yapısına karşılık önemli avantajlar sağladığına dikkat çekiyor.
Teknoloji geliştikçe malzemenin sınırlarına daha çok yaklaşılıyor. Bu sınırları aşmak için bilim her geçen gün daha çok görev alıyor. Yeni iki boyutlu FET’ler ile hem daha hızlı elektronik komponentler üretilebilecek hem de daha esnek cihazlar üretilecek.
