Donanım
Transistörlerde yeni teknoloji: 2D FET'ler
Lawrence Berkeley Ulusal Laboratuvarı, yarı iletken elemanların daha hızlı çalışması için yeni bir teknoloji olan 2 boyutlu (2D) alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor) üzerinde çalışıyor. Silikondan yapılan normal FET’lerden farklı olarak iki boyutlu FET’ler yüksek gerilimlerde performans düşmesi yaşamıyor ve yüksek bir elektron hareketliliği sağlıyor. 2